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价格(含税)
资料
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品类: 中高压MOS管描述: ROHM R6030KNX 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.115 ohm, 10 V, 5 V 新37515+￥19.948550+￥19.0960200+￥18.6186500+￥18.49931000+￥18.37992500+￥18.24355000+￥18.15837500+￥18.0730 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF190N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 2.5 V87125+￥12.402050+￥11.8720200+￥11.5752500+￥11.50101000+￥11.42682500+￥11.34205000+￥11.28907500+￥11.2360 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP8N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 1.29 ohm, 10 V, 5 V976410+￥7.2960100+￥6.9312500+￥6.68801000+￥6.67582000+￥6.62725000+￥6.56647500+￥6.517810000+￥6.4934 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STP43N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 34 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V 新26635+￥26.991950+￥25.8384200+￥25.1924500+￥25.03101000+￥24.86952500+￥24.68495000+￥24.56967500+￥24.4542 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF7N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 800 V, 1.57 ohm, 10 V, 5 V196010+￥10.1160100+￥9.6102500+￥9.27301000+￥9.25612000+￥9.18875000+￥9.10447500+￥9.037010000+￥9.0032 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP7N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 800 V, 1.57 ohm, 10 V, 5 V960410+￥8.6880100+￥8.2536500+￥7.96401000+￥7.94952000+￥7.89165000+￥7.81927500+￥7.761310000+￥7.7323 -
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品类: 中高压MOS管描述: SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。28295+￥25.599650+￥24.5056200+￥23.8930500+￥23.73981000+￥23.58662500+￥23.41165000+￥23.30227500+￥23.1928 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP8N60C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 4 V550010+￥8.1840100+￥7.7748500+￥7.50201000+￥7.48842000+￥7.43385000+￥7.36567500+￥7.311010000+￥7.2838 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON SPP17N80C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V52905+￥26.523950+￥25.3904200+￥24.7556500+￥24.59701000+￥24.43832500+￥24.25695000+￥24.14367500+￥24.0302 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON IPA65R190C7XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V53095+￥12.004250+￥11.4912200+￥11.2039500+￥11.13211000+￥11.06032500+￥10.97825000+￥10.92697500+￥10.8756 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON SPA08N80C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 650 mohm, 10 V, 3 V98025+￥33.520550+￥32.0880200+￥31.2858500+￥31.08531000+￥30.88472500+￥30.65555000+￥30.51237500+￥30.3690 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON IPP65R190C7FKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V11765+￥15.853550+￥15.1760200+￥14.7966500+￥14.70181000+￥14.60692500+￥14.49855000+￥14.43087500+￥14.3630 -
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品类: 中高压MOS管描述: ROHM R6004ENX 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V 新597810+￥6.4800100+￥6.1560500+￥5.94001000+￥5.92922000+￥5.88605000+￥5.83207500+￥5.788810000+￥5.7672 -
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品类: 中高压MOS管描述: ROHM R6011KNX 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 5 V 新794810+￥8.5800100+￥8.1510500+￥7.86501000+￥7.85072000+￥7.79355000+￥7.72207500+￥7.664810000+￥7.6362 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF3N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 800 V, 4 ohm, 10 V, 5 V79805+￥5.467525+￥5.062550+￥4.7790100+￥4.6575500+￥4.57652500+￥4.47535000+￥4.434810000+￥4.3740 -
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHP17N60D-E3 Power MOSFET, N Channel, 17A, 600V, 0.275Ω, 10V, 3V30455+￥13.209350+￥12.6448200+￥12.3287500+￥12.24971000+￥12.17062500+￥12.08035000+￥12.02397500+￥11.9674 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON SPA06N80C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 800 V, 0.78 ohm, 10 V, 3 V66285+￥6.493525+￥6.012550+￥5.6758100+￥5.5315500+￥5.43532500+￥5.31515000+￥5.267010000+￥5.1948
